Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP264
- RS-artikelnummer:
- 542-9787
- Distrelec artikelnummer:
- 301-91-587
- Tillv. art.nr:
- IRFP264PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
85,34 kr
(exkl. moms)
106,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 13 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 434 enhet(er) från den 02 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 85,34 kr |
| 10 - 24 | 73,47 kr |
| 25 - 49 | 68,32 kr |
| 50 - 99 | 64,29 kr |
| 100 + | 55,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 542-9787
- Distrelec artikelnummer:
- 301-91-587
- Tillv. art.nr:
- IRFP264PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 38A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-247AC | |
| Serie | IRFP264 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 280W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 38A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-247AC | ||
Serie IRFP264 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 280W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 5.31mm | ||
Höjd 20.7mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay IRFP264-serien effekt-MOSFET, 250 V drain-källspänning, 38 A kontinuerlig drain-ström – IRFP264PBF
Denna effekt-MOSFET är en N-kanal-transistor med genomgående hål avsedd för högeffektsomkoppling och förstärkning i industriell och fordonsanpassad elektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och är specificerad för hantering av förhöjd spänning och ström, vilket gör den lämplig för medelspänningseffektsteg och robusta drivkretsar.
Funktioner och fördelar:
• 250 V drain-to-source-klassning möjliggör medelspänningsdrift
• 38 A kontinuerlig dräneringsström för kontinuerlig omkoppling vid hög belastning
• Maximal effektförlust på 280 W för krävande värmehantering
• Maximal Rds(on) på 75 mΩ för minskade ledningsförluster
• 210 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal grind-till-källspänning på 20 V säkerställer kompatibilitet med grinddrivare
• 38 A kontinuerlig dräneringsström för kontinuerlig omkoppling vid hög belastning
• Maximal effektförlust på 280 W för krävande värmehantering
• Maximal Rds(on) på 75 mΩ för minskade ledningsförluster
• 210 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal grind-till-källspänning på 20 V säkerställer kompatibilitet med grinddrivare
Användningsområden
• Lämplig för utgångsstegen för motordrivare i industriella styrenheter
• Idealisk för DC/DC-omvandlare och växelriktare med hög effekt
• Används med nätaggregat som kräver montering med genomgående hål
• Kan användas för switchade effektförstärkare i audio eller RF
• Lämplig för batterihantering och laddnings-/urladdningskretsar
• Idealisk för DC/DC-omvandlare och växelriktare med hög effekt
• Används med nätaggregat som kräver montering med genomgående hål
• Kan användas för switchade effektförstärkare i audio eller RF
• Lämplig för batterihantering och laddnings-/urladdningskretsar
Vilken monteringsstil kräver den för kretskortsmontering?
Den använder ett genomgående TO-247AC-paket som kräver standardkabelinsättning och lödning i pläterade genomgående hål med lämplig kylelement på kortet eller en extern kylelementtillsats.
Hur påverkar temperaturen dess användbarhet i tuffa miljöer?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör val för system som utsätts för extrem kyla genom höga omgivningsförhållanden, förutsatt att värmehanteringen håller kopplingstemperaturen inom gränserna.
Vilka överväganden om gate-drivning bör observeras?
Grinden måste drivas inom ±20 V i förhållande till källan och konstruktörer bör ta hänsyn till den typiska grindladdningen på 210 nC vid dimensionering av drivström och omkoppling.
Hur bör konstruktörer närma sig termisk design för kontinuerlig drift med hög ström?
Med en effektförlustgräns på 280 W, använd en montering med låg termisk resistans, tillräcklig kopparyta eller en ansluten kylelement, och överväg ett forcerat luftflöde för att upprätthålla säkra kopplingstemperaturer under kontinuerlig 38 A-drift.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP264
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.1 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG50
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP360
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 171 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP064
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E
