Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E

RS-artikelnummer:: 169-5791
Tillv. art.nr:: SIHG20N50E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E

Antal (25 enheter, i ett rör med 25)*

708,95 kr

(exkl. moms)

886,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

150 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
25 +	28,358 kr	708,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 169-5791
Tillv. art.nr:: SIHG20N50E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	19A
	Maximal källspänning för dränering Vds	500V
	Serie	E
	Kapseltyp	TO-247AC
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	184mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-30, +30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	46nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	179W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	20.82mm
	Längd	15.87mm
	Bredd	5.31mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A
	Maximal källspänning för dränering Vds 500V
	Serie E
	Kapseltyp TO-247AC
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 184mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 179W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 20.82mm
	Längd 15.87mm
	Bredd 5.31mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Vishay serie E Power MOSFET, 500 V drain source-spänning, 19 A kontinuerlig drain-ström - SIHG20N50E-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för strömomvandlings- och omkopplingstillämpningar. Den erbjuder robust omkopplingsförmåga som är lämplig för genomgående hålmontering i konventionella monteringar och fungerar över ett brett omgivningstemperaturområde för krävande elektroniska miljöer.

Funktioner och fördelar:

• Drain-kapacitet på 500 V stöder högeffektsteg
• Kontinuerlig dräneringsström på 19 A möjliggör betydande belastningshantering
• 179 W effektförlust möjliggör drift med hög effekt
• Maximal RDS(on) på 184 mΩ minimerar ledningsförluster
• 46 nC typisk grindladdning minskar omkopplande styrenergi
• Maximalt 30 V grindklassning möjliggör standardgrinddrivarspänningar

Användningsområden

• Lämplig för effekt-elektronik-MOSFET för switchande strömförsörjning
• Idealisk för TO-247-effekttransistorer med genomgående hål, 500 V
• Används med högspänningsväxelriktare och motordrivsteg
• Kan användas för industriella nätaggregat och omvandlare
• Används för äldre reparationer av genomgående hål och prototypkort

Vilka är de termiska gränserna för användning i varma miljöer?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör drift i system med förhöjd temperatur.

Vilken monteringsmetod krävs för tillförlitlig installation?

Enheten använder genomgående hålmontering i en TO-247AC-kapsel, kompatibel med standardvåg- eller manuella lödprocesser och kylelement.

Vilka överväganden om grinddrivning bör jag tillåta under designen?

Utformad för en maximal gate-source-klassning på 30 V och tar hänsyn till en typisk gate-laddning på 46 nC vid dimensionering av drivkretsar.

Hur följer delen materialbegränsningar för tillverkning?

Den är RoHS-kompatibel och uppfyller kraven på materialbegränsning för miljöbestämmelser.