Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP264

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 25 enheter)*

1 300,33 kr

(exkl. moms)

1 625,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 375 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
25 - 2552,013 kr1 300,33 kr
50 - 10050,974 kr1 274,35 kr
125 +48,375 kr1 209,38 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0790
Tillv. art.nr:
IRFP264PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

38A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Kapseltyp

TO-247AC

Serie

IRFP264

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal effektförlust Pd

280W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

210nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.7mm

Längd

15.87mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

5.31mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay IRFP264-serien effekt-MOSFET, 250 V drain-källspänning, 38 A kontinuerlig drain-ström – IRFP264PBF


Denna effekt-MOSFET är en N-kanal-transistor med genomgående hål avsedd för högeffektsomkoppling och förstärkning i industriell och fordonsanpassad elektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och är specificerad för hantering av förhöjd spänning och ström, vilket gör den lämplig för medelspänningseffektsteg och robusta drivkretsar.

Funktioner och fördelar:


• 250 V drain-to-source-klassning möjliggör medelspänningsdrift
• 38 A kontinuerlig dräneringsström för kontinuerlig omkoppling vid hög belastning
• Maximal effektförlust på 280 W för krävande värmehantering
• Maximal Rds(on) på 75 mΩ för minskade ledningsförluster
• 210 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal grind-till-källspänning på 20 V säkerställer kompatibilitet med grinddrivare

Användningsområden


• Lämplig för utgångsstegen för motordrivare i industriella styrenheter
• Idealisk för DC/DC-omvandlare och växelriktare med hög effekt
• Används med nätaggregat som kräver montering med genomgående hål
• Kan användas för switchade effektförstärkare i audio eller RF
• Lämplig för batterihantering och laddnings-/urladdningskretsar

Vilken monteringsstil kräver den för kretskortsmontering?


Den använder ett genomgående TO-247AC-paket som kräver standardkabelinsättning och lödning i pläterade genomgående hål med lämplig kylelement på kortet eller en extern kylelementtillsats.

Hur påverkar temperaturen dess användbarhet i tuffa miljöer?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör val för system som utsätts för extrem kyla genom höga omgivningsförhållanden, förutsatt att värmehanteringen håller kopplingstemperaturen inom gränserna.

Vilka överväganden om gate-drivning bör observeras?


Grinden måste drivas inom ±20 V i förhållande till källan och konstruktörer bör ta hänsyn till den typiska grindladdningen på 210 nC vid dimensionering av drivström och omkoppling.

Hur bör konstruktörer närma sig termisk design för kontinuerlig drift med hög ström?


Med en effektförlustgräns på 280 W, använd en montering med låg termisk resistans, tillräcklig kopparyta eller en ansluten kylelement, och överväg ett forcerat luftflöde för att upprätthålla säkra kopplingstemperaturer under kontinuerlig 38 A-drift.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.