Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP360
- RS-artikelnummer:
- 178-0802
- Tillv. art.nr:
- IRFP360PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i ett rör med 25)*
1 092,00 kr
(exkl. moms)
1 365,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 175 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 43,68 kr | 1 092,00 kr |
| 50 - 100 | 42,811 kr | 1 070,28 kr |
| 125 + | 40,62 kr | 1 015,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-0802
- Tillv. art.nr:
- IRFP360PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Serie | IRFP360 | |
| Kapseltyp | TO-247AC | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 280W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 210nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.87mm | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Serie IRFP360 | ||
Kapseltyp TO-247AC | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 280W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 210nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.87mm | ||
Höjd 20.7mm | ||
Bredd 5.31mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay IRFP360-serien effekt-MOSFET, 400 V maximal drain-källspänning, 23 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFP360PBF
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för krävande elektroniska strömkretsar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för genomgående hålmontering i system som kräver robust effekthantering och enkel termisk anslutning. Enheten är lämplig där högspänningsblockeringskapacitet och kontinuerlig strömförsörjning krävs utan att specificera specifika numeriska parametrar här.
Funktioner och fördelar:
• 400 V avtappningsklassning möjliggör drift av högspänningssystem
• Kontinuerlig avtappning på 23 A stöder långvariga belastningsströmmar
• 280 W effektförlust bidrar till hög effekthanteringskapacitet
• 200 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 210 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och styrning
• 20 V gate-tolerans möjliggör standard gate-drivspänningar
• Kontinuerlig avtappning på 23 A stöder långvariga belastningsströmmar
• 280 W effektförlust bidrar till hög effekthanteringskapacitet
• 200 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 210 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och styrning
• 20 V gate-tolerans möjliggör standard gate-drivspänningar
Användningsområden
• Lämpligt för omkopplingsströmförsörjning i industriell utrustning
• Idealisk för motordrivningsstegen i högspänningssystem
• Används med växelriktartopologier som kräver enheter med genomgående hål
• Kan användas för DC/DC-omvandlare och regulatorer med hög effekt
• Används inom strömhantering för industriella automationspaneler
• Idealisk för motordrivningsstegen i högspänningssystem
• Används med växelriktartopologier som kräver enheter med genomgående hål
• Kan användas för DC/DC-omvandlare och regulatorer med hög effekt
• Används inom strömhantering för industriella automationspaneler
Vilken kapslingstyp används för kortmontering?
Den levereras i en TO-247AC-förpackning med genomgående hål som underlättar fästning av kylelement med bultar och enkel genomgående lödning av kretskort.
Vilka omgivningstemperaturer tål den?
Enheten är specifik för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket stöder användning i tuffa termiska miljöer.
Är grinddrivarens spänning begränsad för styrkretsar?
Den maximala gate-to-source-spänningen är 20 V, vilket definierar den tillåtna gate-drive-amplituden för säker drift.
Hur många elektriska anslutningar finns tillgängliga för kretsintegrering?
Den tillhandahåller tre stift som motsvarar standarddrain-, grind- och källterminalerna som används i diskreta MOSFET-implementeringar.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP360
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.1 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG50
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP264
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 171 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP064
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E