Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP360

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 25 enheter)*

1 092,00 kr

(exkl. moms)

1 365,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
25 - 2543,68 kr1 092,00 kr
50 - 10042,811 kr1 070,28 kr
125 +40,62 kr1 015,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0802
Tillv. art.nr:
IRFP360PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

23A

Maximal källspänning för dränering Vds

400V

Kapseltyp

TO-247AC

Serie

IRFP360

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

200mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal effektförlust Pd

280W

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

210nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.31mm

Höjd

20.7mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

15.87mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay IRFP360-serien effekt-MOSFET, 400 V maximal drain-källspänning, 23 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFP360PBF


Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för krävande elektroniska strömkretsar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för genomgående hålmontering i system som kräver robust effekthantering och enkel termisk anslutning. Enheten är lämplig där högspänningsblockeringskapacitet och kontinuerlig strömförsörjning krävs utan att specificera specifika numeriska parametrar här.

Funktioner och fördelar:


• 400 V avtappningsklassning möjliggör drift av högspänningssystem
• Kontinuerlig avtappning på 23 A stöder långvariga belastningsströmmar
• 280 W effektförlust bidrar till hög effekthanteringskapacitet
• 200 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 210 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och styrning
• 20 V gate-tolerans möjliggör standard gate-drivspänningar

Användningsområden


• Lämpligt för omkopplingsströmförsörjning i industriell utrustning
• Idealisk för motordrivningsstegen i högspänningssystem
• Används med växelriktartopologier som kräver enheter med genomgående hål
• Kan användas för DC/DC-omvandlare och regulatorer med hög effekt
• Används inom strömhantering för industriella automationspaneler

Vilken kapslingstyp används för kortmontering?


Den levereras i en TO-247AC-förpackning med genomgående hål som underlättar fästning av kylelement med bultar och enkel genomgående lödning av kretskort.

Vilka omgivningstemperaturer tål den?


Enheten är specifik för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket stöder användning i tuffa termiska miljöer.

Är grinddrivarens spänning begränsad för styrkretsar?


Den maximala gate-to-source-spänningen är 20 V, vilket definierar den tillåtna gate-drive-amplituden för säker drift.

Hur många elektriska anslutningar finns tillgängliga för kretsintegrering?


Den tillhandahåller tre stift som motsvarar standarddrain-, grind- och källterminalerna som används i diskreta MOSFET-implementeringar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.