Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBG
- RS-artikelnummer:
- 542-9563
- Distrelec artikelnummer:
- 304-23-892
- Tillv. art.nr:
- IRFBG20PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
23,63 kr
(exkl. moms)
29,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 13 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 336 enhet(er) från den 10 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 23,63 kr |
| 10 - 49 | 19,71 kr |
| 50 - 99 | 18,82 kr |
| 100 - 249 | 17,70 kr |
| 250 + | 16,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 542-9563
- Distrelec artikelnummer:
- 304-23-892
- Tillv. art.nr:
- IRFBG20PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Serie | IRFBG | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 54W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.41mm | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Serie IRFBG | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 54W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.41mm | ||
Höjd 9.01mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 600V till 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBG
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, Ytmontering, RV2E014AJ
- Wolfspeed Serie Typ N Kanal, MOSFET, 193 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench