Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- RS-artikelnummer:
- 222-4874
- Tillv. art.nr:
- IPA60R099P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
1 921,35 kr
(exkl. moms)
2 401,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 38,427 kr | 1 921,35 kr |
| 100 - 200 | 35,352 kr | 1 767,60 kr |
| 250 + | 33,434 kr | 1 671,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4874
- Tillv. art.nr:
- IPA60R099P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPA60R | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 29W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPA60R | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 29W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IPA60R-serien MOSFET, 1200 V maximal drain-källspänning, 31 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPA60R099P7XKSA1
Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för N-kanalförstärkningstillämpningar inom kraftelektronik. Den fungerar i ett brett temperaturområde och levereras i en TO-220-kapsel för ytmontering, vilket ger en praktisk lösning där hög drain-källspänningshantering och måttlig kontinuerlig ström krävs.
Funktioner och fördelar:
• 1200 V drain-source-kapacitet möjliggör högspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 31 A stöder betydande belastningsströmmar
• 99 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster under drift
• 29 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• Gränsen för 30 V gate-källa möjliggör robusta gate-drivenhetsmarginaler
• Driftområde −55 °C till +150 °C säkerställer bred temperaturtolerans
• Kontinuerlig dräneringsström på 31 A stöder betydande belastningsströmmar
• 99 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster under drift
• 29 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• Gränsen för 30 V gate-källa möjliggör robusta gate-drivenhetsmarginaler
• Driftområde −55 °C till +150 °C säkerställer bred temperaturtolerans
Användningsområden
• Lämplig för industriella högspänningskopplingskretsar
• Idealisk för strömomvandlare som hanterar förhöjda spänningar
• Används för motordriftsteg som kräver N-kanalswitchning
• Kan användas för konstruktion av växelriktarutgångssteg
• Lämplig för laboratorieutvärdering av högspänningstransistorer
• Idealisk för strömomvandlare som hanterar förhöjda spänningar
• Används för motordriftsteg som kräver N-kanalswitchning
• Kan användas för konstruktion av växelriktarutgångssteg
• Lämplig för laboratorieutvärdering av högspänningstransistorer
Vilket paket ska jag förvänta mig för montering på en kylelement?
Den levereras i en TO-220-förpackning som är lämplig för montering på kylelement och ytmontering.
Vilka gränsspänningsgränser måste jag följa för tillförlitlig drift?
Den maximala tillåtna gate-till-källspänningen är 30 V, så drivspänningen bör förbli inom detta värde.
Hur påverkar termisk stress kontinuerlig strömkapacitet?
Den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen är klassad för 31 A och måste hanteras med lämplig kylning för att hålla sig inom 29 W effektförlustgränsen.
Vilka omgivningstemperaturer tål den under drift?
Enheten kan drivas mellan −55 °C och +150 °C och passar ett brett spektrum av omgivnings- och förhöjda förhållanden.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IPA60R
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
