Vishay N Kanal, MOSFET, 1.4 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBG

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (50 enheter, i ett rör med 50)*

786,25 kr

(exkl. moms)

982,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 300 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5015,725 kr786,25 kr
100 - 20013,368 kr668,40 kr
250 +12,58 kr629,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0845
Tillv. art.nr:
IRFBG20PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

1kV

Serie

IRFBG

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

11Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

54W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

38nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.01mm

Bredd

4.7mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.41mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 600V till 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.