Infineon N Kanal, MOSFET, 130 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, LogicFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

45,02 kr

(exkl. moms)

56,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 255 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 17 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 303 enhet(er) från den 23 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 445,02 kr
5 - 943,79 kr
10 - 1442,90 kr
15 - 2441,44 kr
25 +40,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
541-2105
Distrelec artikelnummer:
303-41-389
Tillv. art.nr:
IRL1004PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

130A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

LogicFET

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

200W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

100nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.54mm

Bredd

4.69mm

Höjd

8.77mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

MOSFET i Infineons LogicFET-serie, 130 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 200 W maximal effektförlust - IRL1004PBF


Denna högpresterande MOSFET använder sig av Si-teknik och är konstruerad för effektiv strömhantering i en mängd olika elektroniska applikationer. N-kanalstrukturen med förstärkningsläge säkerställer effektiv drift, vilket gör den lämplig för moderna automations- och elsystem, särskilt i högeffektkretsar.

Funktioner & fördelar


• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på upp till 130 A

• Maximal drain-source-spänning på 40 V säkerställer robust prestanda

• Låg Rds(on) på 7mΩ för att minska värmeutvecklingen

• Hög termisk stabilitet med en maximal driftstemperatur på +175°C

• Kompakt TO-220AB-paket ger möjlighet till mångsidiga monteringsalternativ

Användningsområden


• Högeffektiva strömförsörjningskretsar

• Automationssystem för fordon och industri

• System för energihantering och energiomvandling

Hur bidrar Rds(on) till enhetens effektivitet?


En låg Rds(on) på 7mΩ minimerar effektförlusterna under drift, vilket minskar värmen och förbättrar den totala effektiviteten i kraftapplikationer.

Vilken betydelse har driftstemperaturområdet?


Enheten kan arbeta inom ett brett temperaturområde på -55°C till +175°C, vilket garanterar tillförlitlig prestanda under olika miljöförhållanden och minimerar risken för termiska fel.

Kan den användas för högfrekventa switchapplikationer?


Ja, den är konstruerad för snabb omkoppling, vilket gör den lämplig för högfrekventa operationer och förbättrar prestandan i kommunikations- och styrsystem.

Vad bör man tänka på vid installationen?


Använd lämplig teknik för värmehantering, t.ex. en lämplig kylfläns, eftersom högeffektsenheter behöver effektiv värmeavledning för att bibehålla funktionalitet och tillförlitlighet.

Vad händer om gate-source-spänningen överskrider den maximala märkspänningen?


Om den maximala gate-source-spänningen överskrids kan det leda till att enheten går sönder, så det är viktigt att hålla sig till de angivna gränserna för att säkerställa lång livslängd och förhindra skador.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.