Infineon N Kanal, MOSFET, 130 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

RS-artikelnummer:: 124-9022
Tillv. art.nr:: IRFP4668PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 130 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

Antal (1 rör med 25 enheter)*

652,50 kr

(exkl. moms)

815,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

800 enhet(er) levereras från den 12 oktober 2026
Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 13 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
25 +	26,10 kr	652,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 124-9022
Tillv. art.nr:: IRFP4668PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	130A
	Maximal källspänning för dränering Vds	200V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-247
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	10mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	520W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	161nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-30V, +30V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	15.87mm
	Bredd	5.31mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	20.7mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 130A
	Maximal källspänning för dränering Vds 200V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-247
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 10mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 520W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 161nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 15.87mm
	Bredd 5.31mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 20.7mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MX

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 130 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 200 V maximal dräneringskällspänning - IRFP4668PBF

Denna MOSFET är en högpresterande N-kanal-enhet som är utformad för effektiv strömhantering i olika tillämpningar. Dess mått är 15,87 mm i längd, 5,31 mm i bredd och 20,7 mm i höjd, inrymt i en TO-247AC-kapsel. Med robusta specifikationer inklusive en maximal kontinuerlig dräneringsström på 130 A och en maximal dräneringskällspänning på 200 V är den idealisk för krävande elektriska tillämpningar.

Funktioner & fördelar

• Förbättrad kroppsdiod för förbättrad omkopplingsprestanda

• Låg Rds(on) på 10 mΩ minimerar effektförlusten

• Hög effektivitet i synkrona likriktningskretsar

• Ökad robusthet under dynamiska dV/dt-förhållanden

• Helt karakteriserad avalanche- och termisk prestanda för tillförlitlighet

Användningsområden

• Används vid höghastighetsströmomkoppling

• Lämpligt för avbrottsfria strömförsörjningssystem

• Idealisk för hårt omkopplade och högfrekventa kretsar

• Kan användas i olika automations- och industriella kraftsystem

Vilka är de termiska värdena för säker drift?

Den maximala effektförlusten är klassad till 520 W vid 25 °C, och kopplingstemperaturen bör inte överstiga 175 °C för att säkerställa säker drift.

Hur påverkar grindströskelspänningen funktionaliteten?

Grindtröskelspänningen varierar från 3 V till 5 V, vilket underlättar effektiv styrning under omkopplingsoperationer, vilket är avgörande för tillförlitlig prestanda i strömtillämpningar.

Kan denna MOSFET hantera höga pulserande strömbelastningar?

Ja, den är klassad för en pulserad dräneringsström på upp till 520 A, vilket gör den lämplig för kraftiga tillämpningar som kräver hög strömhanteringsförmåga.