Infineon N Kanal, MOSFET, 130 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, LogicFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4943
- Tillv. art.nr:
- IRL1004PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 50 enheter)*
1 149,10 kr
(exkl. moms)
1 436,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 16 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 22,982 kr | 1 149,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4943
- Tillv. art.nr:
- IRL1004PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 130A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | LogicFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.54mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 130A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie LogicFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.69mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.54mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET i Infineons LogicFET-serie, 130 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 200 W maximal effektförlust - IRL1004PBF
Denna högpresterande MOSFET använder sig av Si-teknik och är konstruerad för effektiv strömhantering i en mängd olika elektroniska applikationer. N-kanalstrukturen med förstärkningsläge säkerställer effektiv drift, vilket gör den lämplig för moderna automations- och elsystem, särskilt i högeffektkretsar.
Funktioner & fördelar
• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på upp till 130 A
• Maximal drain-source-spänning på 40 V säkerställer robust prestanda
• Låg Rds(on) på 7mΩ för att minska värmeutvecklingen
• Hög termisk stabilitet med en maximal driftstemperatur på +175°C
• Kompakt TO-220AB-paket ger möjlighet till mångsidiga monteringsalternativ
Användningsområden
• Högeffektiva strömförsörjningskretsar
• Automationssystem för fordon och industri
• System för energihantering och energiomvandling
Hur bidrar Rds(on) till enhetens effektivitet?
En låg Rds(on) på 7mΩ minimerar effektförlusterna under drift, vilket minskar värmen och förbättrar den totala effektiviteten i kraftapplikationer.
Vilken betydelse har driftstemperaturområdet?
Enheten kan arbeta inom ett brett temperaturområde på -55°C till +175°C, vilket garanterar tillförlitlig prestanda under olika miljöförhållanden och minimerar risken för termiska fel.
Kan den användas för högfrekventa switchapplikationer?
Ja, den är konstruerad för snabb omkoppling, vilket gör den lämplig för högfrekventa operationer och förbättrar prestandan i kommunikations- och styrsystem.
Vad bör man tänka på vid installationen?
Använd lämplig teknik för värmehantering, t.ex. en lämplig kylfläns, eftersom högeffektsenheter behöver effektiv värmeavledning för att bibehålla funktionalitet och tillförlitlighet.
Vad händer om gate-source-spänningen överskrider den maximala märkspänningen?
Om den maximala gate-source-spänningen överskrids kan det leda till att enheten går sönder, så det är viktigt att hålla sig till de angivna gränserna för att säkerställa lång livslängd och förhindra skador.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, LogicFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, LogicFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, LogicFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, LogicFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon 1 Typ N, Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 104 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, LogicFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 100 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
