Infineon N Kanal, MOSFET, 9.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

15,46 kr

(exkl. moms)

19,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 479 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 387 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 2 157 enhet(er) från den 07 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 2415,46 kr
25 - 4913,55 kr
50 - 9912,99 kr
100 - 24912,10 kr
250 +10,86 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
541-1180
Distrelec artikelnummer:
303-41-279
Tillv. art.nr:
IRF520NPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

200mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

48W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.54mm

Höjd

8.77mm

Bredd

4.69mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 9,7 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 48 W maximal effektförlust - IRF520NPBF


Denna MOSFET utnyttjar avancerad HEXFET-teknik för att ge hög prestanda för olika applikationer. Med en kontinuerlig drainström på 9,7 A och en maximal drain-source-spänning på 100 V är den en lämplig komponent för elektroniska kretsar. Dess "enhancement mode"-design säkerställer effektiv drift i olika miljöer, vilket gör den till ett praktiskt val för yrkesverksamma inom automation och elektronik.

Funktioner & fördelar


• Hög strömkapacitet på 9,7 A förbättrar prestandan

• Robust design säkerställer funktion under extrema förhållanden

• Låg on-resistans på 200mΩ minimerar strömförlust

• Snabba växlingsfunktioner förbättrar effektiviteten

• Kompatibel med TO-220AB-paketet för enkel installation

Användningsområden


• Effekthantering i automationssystem

• Switchande i elektriska kretsar

• Motorstyrningskretsar för förbättrad effektivitet

• Högfrekvent inom elektronik

Hur påverkar det låga motståndet prestandan?


Den låga on-resistansen minskar värmeutvecklingen och ökar effektiviteten, vilket resulterar i förbättrad prestanda i kraftapplikationer genom att energiförlusterna minimeras.

Vad har temperaturintervallet för betydelse?


Det breda temperaturintervallet säkerställer konsekvent prestanda i olika miljöer och passar effektivt för applikationer med både höga och låga temperaturer.

Kan denna komponent hantera korta pulser med högre strömstyrka?


Ja, den kan hantera pulsade dräneringsströmmar på upp till 38 A, vilket gör den lämplig för transienta förhållanden i elektroniska kretsar.

Vad ska jag tänka på när jag installerar?


Säkerställ lämplig kylfläns enligt specifikationerna i databladet för att hantera värmeavledningen effektivt under drift, särskilt under höga belastningsförhållanden.

Hur fungerar enheten under snabba omkopplingsförhållanden?


Den snabba omkopplingshastigheten ger effektiv drift i applikationer som kräver snabba svarstider, vilket gör den till ett mångsidigt val för moderna elektronikkonstruktioner.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.