Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-artikelnummer:: 541-1736
Distrelec artikelnummer:: 303-41-281
Tillv. art.nr:: IRF5305PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

16,58 kr

(exkl. moms)

20,72 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 390 enhet(er) från den 04 maj 2026
Dessutom levereras 21 enhet(er) från den 04 maj 2026
Dessutom levereras 140 enhet(er) från den 11 maj 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 - 9	16,58 kr
10 - 49	14,11 kr
50 - 99	13,22 kr
100 - 249	12,32 kr
250 +	11,42 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 541-1736
Distrelec artikelnummer:: 303-41-281
Tillv. art.nr:: IRF5305PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	31A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	60mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	110W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	63nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	8.77mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	10.54mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Kapseltyp TO-220
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 110W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 8.77mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 10.54mm
	Fordonsstandard Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 31 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 110 W maximal effektförlust - IRF5305PBF

Denna MOSFET är skräddarsydd för högeffektiva kraftapplikationer och ger både flexibilitet och tillförlitlighet. Dess Enhancement Mode-funktion gör den lämplig för olika system som kräver kontrollerad omkoppling, särskilt i industri- och automationsmiljöer.

Funktioner & fördelar

• Kontinuerlig avtappningsström på 31 A stöder krävande applikationer

• Spänningsklassning på 55 V ger tillförlitlig växling

• Låg on-resistans på 60mΩ minskar strömförlusten

• TO-220AB-paketdesign förbättrar termisk prestanda

• Gate-source-spänningsområde på ±20V för många olika applikationer

• Snabb optimering av växlingarna ökar systemets totala effektivitet

Användningsområden

• Används i motorstyrsystem för effektiv drift

• Används i strömförsörjningskretsar för stabil prestanda

• Integrerad i elektroniska enheter som kräver effektiv omkopplingsförmåga

• Lämplig för användning i system för förnybar energi

Vilket är temperaturintervallet för drift?

Den arbetar i intervallet -55°C till +175°C, vilket gör den lämplig för extrema förhållanden.

Hur påverkar pakettypen prestandan?

TO-220AB-paketet ger lågt värmemotstånd, vilket förbättrar kylningseffektiviteten under drift.

Kan den hantera applikationer med pulsad dräneringsström?

Ja, den har stöd för pulsade dräneringsströmmar på upp till 110 A, vilket ger tillräcklig prestanda för transienta krav.

Vilken typ av transistor är detta?

Det är en Si MOSFET med P-kanal, optimerad för högeffektiva applikationer.

Är den kompatibel med automatiserade monteringsprocesser?

Ja, den genomgående håldesignen möjliggör integrering i automatiserade system och kretskort.