Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 124-9000
- Tillv. art.nr:
- IRF3205ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
276,85 kr
(exkl. moms)
346,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 5,537 kr | 276,85 kr |
| 100 - 200 | 4,525 kr | 226,25 kr |
| 250 - 450 | 4,467 kr | 223,35 kr |
| 500 - 950 | 4,413 kr | 220,65 kr |
| 1000 + | 4,364 kr | 218,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-9000
- Tillv. art.nr:
- IRF3205ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.54mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.54mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 8.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
Motorstyrning och AC-DC synkron likriktare MOSFET, Infineon
MOSFET för motorstyrning
Infineon erbjuder en omfattande portfölj av robusta N-kanals och P-kanals MOSFET-enheter för motorstyrningsapplikationer.
MOSFET med synkron likriktare
En portfölj med MOSFET-enheter med synkron likriktning för AC-DC-strömförsörjning uppfyller kundernas krav på högre effekttäthet, mindre storlek, större bärbarhet och mer flexibla system.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET