Vishay N Kanal, MOSFET, 198 A 30 V Förbättring, 8 Ben, 1212-F, SISD
- RS-artikelnummer:
- 279-9978
- Tillv. art.nr:
- SISD5300DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
27 315,00 kr
(exkl. moms)
34 143,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 9,105 kr | 27 315,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9978
- Tillv. art.nr:
- SISD5300DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 198A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | 1212-F | |
| Serie | SISD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00087Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 198A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp 1212-F | ||
Serie SISD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00087Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
Helt blyfri (Pb)-enhet
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 198 A 30 V Förbättring, 8 Ben, 1212-F, SISD
- Vishay N Kanal, MOSFET, 198 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 124 A 40 V Förbättring, 8 Ben, 1212-F, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 85 A 60 V Förbättring, 8 Ben, 1212-F, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 128 A 40 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8S, SISS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8, SISS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8, SIS