Vishay N Kanal, MOSFET, 124 A 40 V Förbättring, 8 Ben, 1212-F, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 735-203
- Tillv. art.nr:
- SISD4402DN-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
20,61 kr
(exkl. moms)
25,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 20,61 kr |
| 10 - 99 | 14,00 kr |
| 100 - 499 | 10,08 kr |
| 500 + | 8,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-203
- Tillv. art.nr:
- SISD4402DN-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 124A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | 1212-F | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0031Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 124A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp 1212-F | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0031Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.3mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Vishays N-kanal MOSFET är byggd för högeffektiv strömomvandling och styrning i krävande elektroniska system. Den säkerställer robusta prestanda med omfattande testning, samtidigt som den upprätthåller överensstämmelse med miljöstandarder. Dess mångsidighet gör den idealisk för applikationer som kräver tillförlitlig likriktering, kompakta DC/DC-lösningar och exakt motorstyrning.
Ger 100 % Rg- och UIS-test för beprövad tillförlitlighet
Säkerställer RoHS-överensstämmelse för miljösäkerhet
Levererar halogenfri konstruktion för miljövänlig design
Stöd för synkron likriktelse för effektiv strömomvandling
Möjliggör motorstyrning med tillförlitlig omkopplingsprestanda
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 85 A 60 V Förbättring, 8 Ben, 1212-F, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET