Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN
- RS-artikelnummer:
- 188-4960
- Distrelec artikelnummer:
- 304-32-538
- Tillv. art.nr:
- SiSS92DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
112,11 kr
(exkl. moms)
140,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,211 kr | 112,11 kr |
| 100 - 240 | 11,01 kr | 110,10 kr |
| 250 - 490 | 9,531 kr | 95,31 kr |
| 500 - 990 | 7,28 kr | 72,80 kr |
| 1000 + | 5,936 kr | 59,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-4960
- Distrelec artikelnummer:
- 304-32-538
- Tillv. art.nr:
- SiSS92DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Serie | SiSS92DN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.78mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Serie SiSS92DN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 65.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.3mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.78mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig 250 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® med ThunderFET-teknik optimerar balansen mellan RDS(on), Qg, Qsw och Qoss
Ledarskap RDS(on) och RDS-Coss FOM
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 111.9 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS61DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 181.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS60DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 81.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS26LDN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 108 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS05DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA14DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS126DN