Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 198 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

25,42 kr

(exkl. moms)

31,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +25,42 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
735-152
Tillv. art.nr:
SiSD5300DN
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N-kanal

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

198A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

SiS

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.00087Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

59nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Maximal effektförlust Pd

57W

Framåtriktad spänning Vf

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Längd

4mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
IL
Vishays N-kanal MOSFET är klassad för 60 V drain-källspänning, optimerad för högeffektiv omkoppling i AI-strömserver DC/DC-omvandlare och synkrona likriktare. Den uppnår mycket låg påslagningsresistans på 1,7 mΩ max vid 10 V grinddrivning för minimala ledningsförluster i högströmstillämpningar

94 A kontinuerlig dräneringsström vid TA=25 °C

54,3 nC typisk total grindladdning för snabb omkoppling

-55 °C till +175 °C utökat kopplingstemperaturområde

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.