Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- RS-artikelnummer:
- 279-9967
- Tillv. art.nr:
- SIRS4401DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
99,01 kr
(exkl. moms)
123,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 998 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 49,505 kr | 99,01 kr |
| 50 - 98 | 48,61 kr | 97,22 kr |
| 100 - 248 | 44,41 kr | 88,82 kr |
| 250 - 998 | 43,625 kr | 87,25 kr |
| 1000 + | 42,895 kr | 85,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9967
- Tillv. art.nr:
- SIRS4401DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 198A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SIRS | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0022Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 132W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 588nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 198A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SIRS | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0022Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 132W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 588nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en P-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
Ny generation av effekt-MOSFET
100 procent Rg- och UIS-testat
FOM-produkt med ultralåg RDS x Qg
Helt blyfri (Pb)-enhet
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 105 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 227 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 60.6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR