Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 105 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- RS-artikelnummer:
- 279-9949
- Tillv. art.nr:
- SIR5211DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 279-9949
- Tillv. art.nr:
- SIR5211DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 105A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0062Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 158nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 56.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 105A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0062Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 158nC | ||
Maximal effektförlust Pd 56.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en P-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg- och UIS-testat
Helt blyfri (Pb)-enhet
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 105 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 227 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 60.6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR