Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- RS-artikelnummer:
- 279-9963
- Tillv. art.nr:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
84,90 kr
(exkl. moms)
106,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 42,45 kr | 84,90 kr |
| 50 - 98 | 39,09 kr | 78,18 kr |
| 100 - 248 | 34,55 kr | 69,10 kr |
| 250 - 998 | 34,05 kr | 68,10 kr |
| 1000 + | 33,375 kr | 66,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9963
- Tillv. art.nr:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 478A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SIRS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00057Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 230nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 478A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SIRS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00057Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 230nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIRS-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 478 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIRS4302DP-T1-GE3
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanal-enhet som är utformad för högströmsströmströmskoppling i industriell elektronik. Den fungerar som en förstärkningstransistor för kontrollerad ledning i DC-effektsteg och omvandlartopologier, vilket ger förhöjd temperaturtolerans för krävande driftsförhållanden.
Funktioner och fördelar:
• 478 A kontinuerlig dräneringsström för tillämpningar med hög belastning • 0,00057 Ω låg Rds(on) för att minimera ledningsförluster • 30 V drain-source-klassning för lågspänningssystem • 230 nC typisk grindladdning för förutsägbart omkopplingsbeteende • 208 W effektförlust för att hantera betydande termiska belastningar • Maximal kopplingstemperatur på 150 °C för användning vid förhöjd temperatur
Användningsområden
• Lämpligt för DC-DC-omvandlare i strömfördelningsenheter • Idealisk för motorstyrningsstegen i industriell automation • Används för högströms synkronlikriktelse i PSU-konstruktioner • Lämplig för strömomkoppling i batterihanteringssystem • Kan användas för lastväxling i server- och telekomrack
Vilken monteringsstil kräver den och hur många stift finns det?
Den levereras i ett SO-8-paket för ytmontering med en 8-polig konfiguration för kretskortsmontering.
I vilket omgivningstemperaturområde kan den fungera tillförlitligt?
Enheten stöder drift från -55 °C upp till den angivna maximala kopplingstemperaturen på 150 °C.
Vilka gränsspänningsgränser bör konstruktörer observera?
Gate-source-spänningen får inte överstiga ±20 V för att undvika gate-oxidbelastning.
Uppfyller denna enhet miljöbegränsningar för farliga ämnen?
Komponenten uppfyller RoHS-kraven för begränsade material.
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 227 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 105 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 518 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 66.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR