Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

84,90 kr

(exkl. moms)

106,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4842,45 kr84,90 kr
50 - 9839,09 kr78,18 kr
100 - 24834,55 kr69,10 kr
250 - 99834,05 kr68,10 kr
1000 +33,375 kr66,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9963
Tillv. art.nr:
SIRS4302DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

478A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

SIRS

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.00057Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

230nC

Maximal effektförlust Pd

208W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

MOSFET från Vishay SIRS-serien, 208 W maximal effektförlust, 30 V maximal drain-källspänning – SIRS4302DP-T1-GE3


Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för krävande strömomkopplingsmiljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i ett kompakt SO-8-paket för ytmontering som är lämpligt för integrering i tätt belägna strömförsörjningsenheter. Komponenten uppfyller RoHS och är avsedd för industriella tillämpningar där värmebeständighet och betydande kontinuerlig strömhantering krävs.

Funktioner och fördelar:


• Mycket låg påslagningsresistans på 0.00057 Ω för minimala ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström 478 A möjliggör omkoppling vid kraftig belastning
• Drain-source-klassningsspänning 30 V för lågspänningstrinn
• Effektförlustkapacitet på 208 W för att stödja drift med hög effekt
• Gate-laddning 230 nC för förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source-tolerans 20 V för att tillgodose robusta drivspänningar

Användningsområden


• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i serverrack
• Idealisk för parallella MOSFET-arrangemang i effektmoduler
• Används med synkron likriktare i nätaggregat
• Kan användas för motorstyrningssteg som kräver hög toppström
• Lämplig för industriella switchregulatorer som arbetar över ett brett temperaturområde

Hur fungerar den vid extrema omgivningstemperaturer?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket stöder tillämpningar som utsätts för svåra termiska förhållanden.

Vilken monteringsmetod rekommenderas för värmehantering?


Ytmonterad placering på ett kretskort med en lämplig kopparyta eller termiska vägar krävs för att dissipera upp till 208 W säkert.

Vilka grinddrivare behövs för snabb omkoppling?


Förvänta en typisk grindladdning på 230 nC

drivare måste leverera tillräcklig toppström för att uppnå önskade stig- och falltider utan överdriven förlust.

Är enheten lämplig för fordonskvalificeringsprogram?


Komponenten är inte klassad som fordonsklassad

lämpligheten för fordonsprogram bör bedömas mot specifika kvalifikationskrav.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.