Vishay N Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- RS-artikelnummer:
- 279-9970
- Tillv. art.nr:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i ett paket med 2)
100,13 kr
(exkl. moms)
125,16 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 279-9970
- Tillv. art.nr:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 225A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SIRS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0025Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 240W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 225A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SIRS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0025Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximal effektförlust Pd 240W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
Helt blyfri (Pb)-enhet
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 241 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 105 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 227 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8S, SiR