Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS

RS-artikelnummer:: 279-9962
Tillv. art.nr:: SIRS4302DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

48 777,00 kr

(exkl. moms)

60 972,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	16,259 kr	48 777,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 279-9962
Tillv. art.nr:: SIRS4302DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	478A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	SIRS
	Kapseltyp	SO-8
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.00057Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	230nC
	Maximal effektförlust Pd	208W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	5mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 478A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie SIRS
	Kapseltyp SO-8
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.00057Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 230nC
	Maximal effektförlust Pd 208W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 5mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIRS4302DP-T1-GE3

MOSFET från Vishay SIRS-serien, 208 W maximal effektförlust, 30 V maximal drain-källspänning – SIRS4302DP-T1-GE3

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för krävande strömomkopplingsmiljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i ett kompakt SO-8-paket för ytmontering som är lämpligt för integrering i tätt belägna strömförsörjningsenheter. Komponenten uppfyller RoHS och är avsedd för industriella tillämpningar där värmebeständighet och betydande kontinuerlig strömhantering krävs.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 0.00057 Ω för minimala ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström 478 A möjliggör omkoppling vid kraftig belastning
• Drain-source-klassningsspänning 30 V för lågspänningstrinn
• Effektförlustkapacitet på 208 W för att stödja drift med hög effekt
• Gate-laddning 230 nC för förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source-tolerans 20 V för att tillgodose robusta drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i serverrack
• Idealisk för parallella MOSFET-arrangemang i effektmoduler
• Används med synkron likriktare i nätaggregat
• Kan användas för motorstyrningssteg som kräver hög toppström
• Lämplig för industriella switchregulatorer som arbetar över ett brett temperaturområde

Hur fungerar den vid extrema omgivningstemperaturer?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket stöder tillämpningar som utsätts för svåra termiska förhållanden.

Vilken monteringsmetod rekommenderas för värmehantering?

Ytmonterad placering på ett kretskort med en lämplig kopparyta eller termiska vägar krävs för att dissipera upp till 208 W säkert.

Vilka grinddrivare behövs för snabb omkoppling?

Förvänta en typisk grindladdning på 230 nC

drivare måste leverera tillräcklig toppström för att uppnå önskade stig- och falltider utan överdriven förlust.

Är enheten lämplig för fordonskvalificeringsprogram?

Komponenten är inte klassad som fordonsklassad

lämpligheten för fordonsprogram bör bedömas mot specifika kvalifikationskrav.