Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS

RS-artikelnummer:: 279-9962
Tillv. art.nr:: SIRS4302DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

48 777,00 kr

(exkl. moms)

60 972,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	16,259 kr	48 777,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 279-9962
Tillv. art.nr:: SIRS4302DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	478A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	SO-8
	Serie	SIRS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.00057Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	208W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	230nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	5mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 478A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp SO-8
	Serie SIRS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.00057Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 208W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 230nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 5mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIRS4302DP-T1-GE3

Vishay SIRS-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 478 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIRS4302DP-T1-GE3

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanal-enhet som är utformad för högströmsströmströmskoppling i industriell elektronik. Den fungerar som en förstärkningstransistor för kontrollerad ledning i DC-effektsteg och omvandlartopologier, vilket ger förhöjd temperaturtolerans för krävande driftsförhållanden.

Funktioner och fördelar:

• 478 A kontinuerlig dräneringsström för tillämpningar med hög belastning • 0,00057 Ω låg Rds(on) för att minimera ledningsförluster • 30 V drain-source-klassning för lågspänningssystem • 230 nC typisk grindladdning för förutsägbart omkopplingsbeteende • 208 W effektförlust för att hantera betydande termiska belastningar • Maximal kopplingstemperatur på 150 °C för användning vid förhöjd temperatur

Användningsområden

• Lämpligt för DC-DC-omvandlare i strömfördelningsenheter • Idealisk för motorstyrningsstegen i industriell automation • Används för högströms synkronlikriktelse i PSU-konstruktioner • Lämplig för strömomkoppling i batterihanteringssystem • Kan användas för lastväxling i server- och telekomrack

Vilken monteringsstil kräver den och hur många stift finns det?

Den levereras i ett SO-8-paket för ytmontering med en 8-polig konfiguration för kretskortsmontering.

I vilket omgivningstemperaturområde kan den fungera tillförlitligt?

Enheten stöder drift från -55 °C upp till den angivna maximala kopplingstemperaturen på 150 °C.

Vilka gränsspänningsgränser bör konstruktörer observera?

Gate-source-spänningen får inte överstiga ±20 V för att undvika gate-oxidbelastning.

Uppfyller denna enhet miljöbegränsningar för farliga ämnen?

Komponenten uppfyller RoHS-kraven för begränsade material.