Infineon N Kanal, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, PG-SC-59, BSR202N AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 273-7311
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-650
- Tillv. art.nr:
- BSR202NL6327HTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
84,78 kr
(exkl. moms)
105,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- 475 kvar, redo att levereras
- Sista 3 000 enhet(er) levereras från den 09 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,391 kr | 84,78 kr |
| 50 - 75 | 3,324 kr | 83,10 kr |
| 100 - 225 | 3,109 kr | 77,73 kr |
| 250 - 975 | 2,876 kr | 71,90 kr |
| 1000 + | 2,818 kr | 70,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7311
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-650
- Tillv. art.nr:
- BSR202NL6327HTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | BSR202N | |
| Kapseltyp | PG-SC-59 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 0.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Längd | 1.3mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie BSR202N | ||
Kapseltyp PG-SC-59 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 0.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Längd 1.3mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET är en N-kanal småsignals-MOSFET som uppfyller och överträffar de högsta kvalitetskraven i välkända industristandardpaket. Med oöverträffad tillförlitlighet och tillverkningskapacitet är dessa komponenter idealiska för en mängd olika tillämpningar, inklusive LED-belysning, ADAS, karossstyrenheter, SMPS och motorstyrning.
RoHS-kompatibel
Avalanche-klassad
Blyplätering utan bly
Förbättringsläge
Kvalificerad enligt AEC Q101
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, PG-SC-59, BSR202N AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 140 mA 250 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSR92P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 360 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSR316P AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 70 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSS127 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 11 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 700 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMP AEC-Q101