DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 70 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSS127 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 122-2848
- Tillv. art.nr:
- BSS127SSN-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 781,00 kr
(exkl. moms)
3 477,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,927 kr | 2 781,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,902 kr | 2 706,00 kr |
| 15000 - 27000 | 0,878 kr | 2 634,00 kr |
| 30000 - 72000 | 0,856 kr | 2 568,00 kr |
| 75000 + | 0,834 kr | 2 502,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-2848
- Tillv. art.nr:
- BSS127SSN-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | SC-59 | |
| Serie | BSS127 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.08nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Längd | 3.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp SC-59 | ||
Serie BSS127 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.08nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.3mm | ||
Längd 3.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V till 950 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 70 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSS127 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 700 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMG1012UW-7 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN3067LW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN3065LW AEC-Q101
