Infineon N Kanal, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, PG-SC-59, BSR202N AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
RS-artikelnummer:
273-7310
Tillv. art.nr:
BSR202NL6327HTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

BSR202N

Kapseltyp

PG-SC-59

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

800mV

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.8nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

1.3mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Bredd

900μm

Höjd

800μm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET är en N-kanal småsignals-MOSFET som uppfyller och överträffar de högsta kvalitetskraven i välkända industristandardpaket. Med oöverträffad tillförlitlighet och tillverkningskapacitet är dessa komponenter idealiska för en mängd olika tillämpningar, inklusive LED-belysning, ADAS, karossstyrenheter, SMPS och motorstyrning.

RoHS-kompatibel

Avalanche-klassad

Blyplätering utan bly

Förbättringsläge

Kvalificerad enligt AEC Q101

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.