Infineon N Kanal, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, PG-SC-59, BSR202N AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

5 343,00 kr

(exkl. moms)

6 678,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 09 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,781 kr5 343,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7310
Tillv. art.nr:
BSR202NL6327HTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

PG-SC-59

Serie

BSR202N

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Höjd

0.8mm

Bredd

0.9mm

Längd

1.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET är en N-kanal småsignals-MOSFET som uppfyller och överträffar de högsta kvalitetskraven i välkända industristandardpaket. Med oöverträffad tillförlitlighet och tillverkningskapacitet är dessa komponenter idealiska för en mängd olika tillämpningar, inklusive LED-belysning, ADAS, karossstyrenheter, SMPS och motorstyrning.

RoHS-kompatibel

Avalanche-klassad

Blyplätering utan bly

Förbättringsläge

Kvalificerad enligt AEC Q101

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.