Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 360 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSR316P AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

110,22 kr

(exkl. moms)

137,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 8 840 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +5,511 kr110,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
170-2356
Tillv. art.nr:
BSR316PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

360mA

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SC-59

Serie

BSR316P

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.3nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.6mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3mm

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Alla produkter i små signalpaket är lämpliga för fordonstillämpningar

Infineons mycket innovativa OptiMOSTM-familjer inkluderar p-kanals effekt-MOSFET:er. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för strömsystemdesign, t. ex. påslagningsresistans och meritfaktor

Förbättringsläge

Blyfri plätering

Måltillämpningar:

Fordonsindustrin

Konsument

DC-DC

eMobility

Motorstyrning

Bärbar dator

Inbyggd laddare

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.