Infineon N Kanal, MOSFET, 4.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 273-3010
- Tillv. art.nr:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
91,28 kr
(exkl. moms)
114,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 470 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 9,128 kr | 91,28 kr |
| 50 - 90 | 7,728 kr | 77,28 kr |
| 100 - 240 | 7,19 kr | 71,90 kr |
| 250 - 990 | 7,034 kr | 70,34 kr |
| 1000 + | 6,91 kr | 69,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3010
- Tillv. art.nr:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 26W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 26W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V Cool MOS PFD7 Super Junction MOSFET kompletterar det Cool MOS 7-erbjudandet för konsumenttillämpningar. Produkterna levereras med en integrerad snabb kroppsdiod som säkerställer en robust enhet. Den snabba kroppsdioden och Infineons branschledande SMD-paket
Minskade BOM-kostnader och enkel tillverkning
Robusthet och tillförlitlighet
Enkelt att välja rätt delar för finjustering av design
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS