Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON-8-4, OptiMOS-T2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

24 570,00 kr

(exkl. moms)

30 710,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +4,914 kr24 570,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2627
Tillv. art.nr:
BSC076N04NDATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

OptiMOS-T2

Kapseltyp

TDSON-8-4

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

65W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Fordonsstandard

Nej

Infineons effekt-MOSFET är en N-kanal 40 V effekt-MOSFET. Denna MOSFET är optimerad för drivtillämpningar och är 100 procent avalanche-testad. Den är kvalificerad för industriella tillämpningar enligt relevanta tester i JEDEC47 20 2.

Halogenfria

RoHS-kompatibel

Blyplätering utan bly

MOSFET-transistorer med snabb omkoppling

Överlägsen värmebeständighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.