STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- RS-artikelnummer:
- 269-5164
- Tillv. art.nr:
- STP80N340K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
120,42 kr
(exkl. moms)
150,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 476 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 60,21 kr | 120,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 269-5164
- Tillv. art.nr:
- STP80N340K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 340mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 115W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 28.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie STP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 340mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 115W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 28.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is a very high voltage is designed using the ultimate MDmesh K6 technology result in the best class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ultra low gate charge
100 percent avalanche tested
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 800 V Förbättring TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal 7 A 800 V Förbättring TO-220, STP
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 100 A 80 V Förbättring TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 650 V Förbättring TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4.3 A 800 V Förbättring TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5 A 800 V Förbättring TO-220, STP80N
- STMicroelectronics Typ N Kanal 17 A 800 V Förbättring TO-220, MDmesh
