Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-artikelnummer:
- 268-8316
- Tillv. art.nr:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
113,23 kr
(exkl. moms)
141,538 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 56,615 kr | 113,23 kr |
| 50 - 98 | 50,96 kr | 101,92 kr |
| 100 - 248 | 41,72 kr | 83,44 kr |
| 250 - 998 | 40,935 kr | 81,87 kr |
| 1000 + | 31,975 kr | 63,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8316
- Tillv. art.nr:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Kapseltyp | PowerPAK 10 x 12 | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.193Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 114W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 9.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Kapseltyp PowerPAK 10 x 12 | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.193Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 114W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 9.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal 16 A 650 V Förbättring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Typ N Kanal 24 A 650 V Förbättring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Typ N Kanal 47 A 650 V Förbättring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Typ N Kanal 30 A 650 V Förbättring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Typ N Kanal 21 A 650 V Förbättring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Typ N Kanal 18 A 600 V Förbättring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-kanal Kanal 34 A 650 V Förbättring PowerPAK 10 x 12, SF Series
- Vishay Typ N Kanal 30 A 650 V Förbättring PowerPAK 8 x 8, SIHH
