Vishay N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

RS-artikelnummer:: 268-8312
Tillv. art.nr:: SIHK125N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

För närvarande inte tillgänglig

Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

RS-artikelnummer:: 268-8312
Tillv. art.nr:: SIHK125N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	21A
	Maximal källspänning för dränering Vds	650V
	Kapseltyp	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Typ av fäste	Kretskort
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.125Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	45nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	132W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	9.9mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A
	Maximal källspänning för dränering Vds 650V
	Kapseltyp PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Typ av fäste Kretskort
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.125Ω
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 132W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 9.9mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

COO (ursprungsland):: CN

Vishay SIHK-serien MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 21 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHK125N60EF-T1GE3

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomvandling och styrning på kretskort. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver robust spänningshantering och måttlig strömkapacitet i ett kretskortsmonterat PowerPAK-paket.

Funktioner och fördelar:

• 650 V avtappningskapacitet för högspänningsswitchning
• 21 A kontinuerlig avtappningsström för stabil strömförsörjning
• 0.125 Ω låg Rds(on) för att minska ledningsförluster
• 132 W effektförlust för termiskt huvudutrymme
• 45 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsenergi
• 30 V gate-source-klassning för flexibla gate-drivenivåer

Användningsområden

• Lämplig för switchade nätaggregat i industriell utrustning
• Idealisk för motordrivning med hög spänning
• Används med isolerade grinddrivare i strömomvandlare
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringssteg
• Lämplig för växelriktare i system för förnybar energi

Vilket paket tillhandahålls för kretskortsmontering och värmehantering?

Komponenten levereras i ett PowerPAK 10x12-paket för ytmontering som är utformat för kretskortsmontering för att underlätta värmeöverföring till kortet och underlätta lödbaserade värmevägar.

Vilka termiska extremer tål enheten i drift?

Den är specifik för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med betydande temperaturvariationer.

Hur fungerar enheten som en grindstyrd omkopplare?

Det är en N-kanal MOSFET med förstärkningsläge som kräver en positiv gate-källspänning upp till dess 30 V-gräns för att leda, och dess typiska gate-laddning på 45 nC informerar omkopplingsenergiberäkningar.

Finns det några miljömässiga eller regelmässiga attribut som noteras?

Enheten uppfyller RoHS-kraven för begränsade ämnen, i linje med miljödirektiven för elektroniska komponenter.