Vishay N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
268-8304
Tillv. art.nr:
SIHK045N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

47A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Typ av fäste

Kretskort

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.052Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

105nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

278W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

9.9mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishay effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod och 4:e generationens E-serieteknik har minskade omkopplings- och ledningsförluster och används i applikationer som switchade nätaggregat, servernätaggregat och strömförsörjning för effektfaktorkorrigering

Låg effektiv kapacitans

Klassad för avalancheenergi

Låg meritfaktor

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.