Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

presentation
Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
RS-artikelnummer
268-8316

Var (i ett paket med 2)

110,21 kr

(exkl. moms)

137,76 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
268-8314
Tillv. art.nr:
SIHK185N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

16A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SIHK

Kapseltyp

PowerPAK 10 x 12

Typ av fäste

Kretskort

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.193Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Maximal effektförlust Pd

114W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

9.9mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay SIHK-serie MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 16 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHK185N60EF-T1GE3


Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomkoppling i kretskortsmonterade enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och uppfyller RoHS-standarder, vilket gör den lämplig för industriella elektroniska system som kräver hög spänningshantering och termisk motståndskraft.

Funktioner och fördelar:


• 650 V avtappningsklassning som möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 16 A kontinuerlig dräneringsström som stöder betydande belastningsströmmar
• 114 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering
• 0.193 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 32 nC typisk grindladdning som möjliggör förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal gate-källspänning på 30 V ger robust gate-tolerans

Användningsområden


• Lämplig för switchade nätaggregat i högspänningskonstruktioner
• Idealisk för industriella motordrivningar och växelriktare
• Används med förnybara energikonverterare som hanterar förhöjda spänningar
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringskretsar på kretskort
• Lämplig för generellt byte av transistorer med hög effekt i montering

Vilket temperaturområde kan den tolerera i krävande miljöer?


Den är specificerad för drift från -55 °C upp till 150 °C, och passar både för lågtemperaturlagring och högtemperaturdriftförhållanden.

Vilken monteringsstil kräver den för kretskortsintegrering?


Enheten levereras i ett PowerPAK 10x12-paket avsett för kretskortsmontering för att underlätta låginduktansanslutningar och kompakta layouter.

Hur många stift finns tillgängliga för anslutnings- och jordningsscheman?


Den använder en 8-polig konfiguration som möjliggör separation av grind-, drain- och källanslutningar för flexibel kortledning.

Är den lämplig för fordonsspecifika standarder?


Den är inte klassificerad enligt fordonsstandarder och bör utvärderas mot fordonsspecifika krav före användning.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.