Vishay N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

RS-artikelnummer:: 268-8310
Tillv. art.nr:: SIHK105N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

RS-artikelnummer:: 268-8310
Tillv. art.nr:: SIHK105N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	24A
	Maximal källspänning för dränering Vds	650V
	Kapseltyp	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Typ av fäste	Kretskort
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.1Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	53nC
	Maximal effektförlust Pd	132W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	9.9mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A
	Maximal källspänning för dränering Vds 650V
	Kapseltyp PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Typ av fäste Kretskort
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.1Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC
	Maximal effektförlust Pd 132W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 9.9mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIHK105N60E-T1-GE3

COO (ursprungsland):: CN

Vishay SIHK-serie MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 24 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHK105N60E-T1-GE3

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomkoppling på kretskort. Den fungerar över ett brett temperaturområde för industriella miljöer och är lämplig för tillämpningar som kräver betydande effekthantering och hög drain-källspänning. Enheten är monterad i ett PowerPAK-paket med låg profil för att underlätta värmehantering på kretskortsmonteringar.

Funktioner och fördelar:

• 650 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 24 A stöder höga belastningsströmmar
• 0.1 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• Maximal förlust på 132 W förbättrar värmeutrymmet
• 53 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och drivkraft
• Vgs 30 V grindgräns möjliggör robusta grinddrivarområden

Användningsområden

• Lämplig för industriella högspänningsströmförsörjningar
• Idealisk för omkopplingsläget strömomvandlingssteg
• Används med motorväxelriktare som kräver hög spänning
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringskretsar
• Lämplig för gränssnittselektronik för el och förnybar energi

Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?

Enheten är specifik för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer.

Vilka förpacknings- och monteringsöverväganden gäller för termisk prestanda?

Den levereras i en PowerPAK 10x12-förpackning avsedd för kretskortsmontering, vilket underlättar värmeavledningen i kombination med lämpliga kopparplan och värmeledningar.

Hur påverkar grindladdning valet av drivare?

Med en typisk total grindladdning på 53 nC måste drivrutinerna leverera tillräcklig ström för önskade omkopplingshastigheter samtidigt som de hanterar grinddrivförluster.

Vad är den maximala tillåtna gate-källspänningen?

Den maximala Vgs är 30 V, så gate-drivkretsar bör utformas för att hålla sig inom den gränsen för att undvika enhetsbelastning.