Vishay N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-artikelnummer:
- 268-8305
- Tillv. art.nr:
- SIHK045N60EF-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
45,25 kr
(exkl. moms)
56,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 884 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 45,25 kr |
| 50 - 99 | 42,56 kr |
| 100 - 249 | 42,11 kr |
| 250 + | 41,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8305
- Tillv. art.nr:
- SIHK045N60EF-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 47A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.052Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 278W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 9.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 47A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.052Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 278W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 9.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod och 4:e generationens E-serieteknik har minskade omkopplings- och ledningsförluster och används i applikationer som switchade nätaggregat, servernätaggregat och strömförsörjning för effektfaktorkorrigering
Låg effektiv kapacitans
Klassad för avalancheenergi
Låg meritfaktor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 47 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8, SiH