Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6774
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-679
- Tillv. art.nr:
- IRFSL7437PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
206,75 kr
(exkl. moms)
258,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 090 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 41,35 kr | 206,75 kr |
| 25 - 45 | 37,228 kr | 186,14 kr |
| 50 - 120 | 34,764 kr | 173,82 kr |
| 125 - 245 | 32,278 kr | 161,39 kr |
| 250 + | 30,196 kr | 150,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6774
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-679
- Tillv. art.nr:
- IRFSL7437PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 195A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-262 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.075Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-262 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.075Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET ger fördelar som förbättrad robusthet för gate, lavin och dynamisk dV/dt samt fullt karakteriserad kapacitans och lavin SOA.
Halogenfria
Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Förbättring, 3 Ben, I2PAK (TO-262), HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 162 A 40 V Förbättring, 3 Ben, I2PAK (TO-262), HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 200 V, TO-262, HEXFET