Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6749
- Tillv. art.nr:
- IRFHM9331TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 262-6749
- Tillv. art.nr:
- IRFHM9331TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET har låg termisk resistans mot kretskortet, vilket ger bättre värmeavledning och är kompatibel med befintliga ytmonteringstekniker.
RoHS-kompatibel och innehåller inget bly
Ökad tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 7.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 7 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -21 A -30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET