Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 541-1657
- Tillv. art.nr:
- IRFU9024NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
23,41 kr
(exkl. moms)
29,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 185 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 114 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 2 220 enhet(er) från den 02 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 24 | 23,41 kr |
| 25 - 49 | 22,40 kr |
| 50 - 99 | 21,39 kr |
| 100 - 249 | 19,94 kr |
| 250 + | 19,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 541-1657
- Tillv. art.nr:
- IRFU9024NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 175mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 175mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 11 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 38 W maximal effektförlust - IRFU9024NPBF
Denna P-kanal MOSFET är avsedd för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Den har en maximal kontinuerlig dräneringsström på 11 A och en maximal dräneringskällspänning på 55 V, skicklig på att hantera betydande laster samtidigt som den säkerställer tillförlitlighet under olika driftsförhållanden. Dess genomgående hålmonteringstyp möjliggör sömlös integrering i befintliga konstruktioner, vilket gör den till en nyckelkomponent för proffs inom automation och elektronik.
Funktioner & fördelar
• Låg Rds(on) på 175 mΩ förbättrar energieffektiviteten
• Maximal effektförlust på 38 W stöder robusta prestanda
• Enkel transistorkonfiguration förenklar designprocesser
• Uppfyller blyfria standarder för miljömedvetna tillämpningar
Användningsområden
• Lämpligt för strömförsörjningar och konverteringskretsar
• Används i motorstyrningssystem för effektiv drift
• Integrerad i batterihanteringssystem för förbättrad prestanda
• Kan användas i fordonsmiljöer för tillförlitlig strömhantering
• Idealisk för industriell automationsutrustning som kräver robust prestanda
Vilket temperaturområde har den för stabil drift?
Komponenten fungerar effektivt inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda i olika miljöer.
Hur kan den hantera höga effektbelastningar effektivt?
Med en maximal effektförlust på 38 W och låg Rds(on) på 175 mΩ hanterar den höga effektbelastningar med minimal energiförlust.
Är den kompatibel med en standardkretskortslayout?
Ja, monteringstypen med genomgående hål är kompatibel med standardkretskortslayouter, vilket underlättar enkel integrering.
Vilka kriterier bör beaktas för grindspänning?
Ett grind-källspänningsområde på -20 V till +20 V ger flexibilitet. Optimal prestanda uppnås vid 10 V för effektiv drift.
Hur bidrar det till effektivitet i strömhantering?
Dess låga påslagningsresistans och hög strömkapacitet maximerar effektiviteten i olika strömhanteringsscenarier.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET