Infineon N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6748
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-672
- Tillv. art.nr:
- IRFB52N15DPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
192,86 kr
(exkl. moms)
241,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 560 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 38,572 kr | 192,86 kr |
| 25 - 45 | 34,72 kr | 173,60 kr |
| 50 - 120 | 32,412 kr | 162,06 kr |
| 125 - 245 | 30,106 kr | 150,53 kr |
| 250 + | 28,134 kr | 140,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6748
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-672
- Tillv. art.nr:
- IRFB52N15DPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET har låg laddning mellan gate och drain för att minska switchförlusterna. Den är lämplig för användning med högfrekventa DC-DC-omvandlare och plasmaskärmar.
Fullt karakteriserad lavinspänning och -ström
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 104 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET