Infineon N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1000 enheter, i ett rör med 1000)*

14 650,00 kr

(exkl. moms)

18 310,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
1000 +14,65 kr14 650,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6747
Tillv. art.nr:
IRFB52N15DPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

51A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons Power MOSFET har låg laddning mellan gate och drain för att minska switchförlusterna. Den är lämplig för användning med högfrekventa DC-DC-omvandlare och plasmaskärmar.

Fullt karakteriserad lavinspänning och -ström

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.