Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4867
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z34NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
575,25 kr
(exkl. moms)
719,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 300 enhet(er) från den 20 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 11,505 kr | 575,25 kr |
| 100 - 200 | 8,512 kr | 425,60 kr |
| 250 - 450 | 7,939 kr | 396,95 kr |
| 500 - 1200 | 7,363 kr | 368,15 kr |
| 1250 + | 6,904 kr | 345,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4867
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z34NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.54mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.54mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 19 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 68 W maximal effektförlust - IRF9Z34NPBF
Denna P-kanaliga MOSFET är konstruerad för konsekvent prestanda i olika elektroniska applikationer. Med en kontinuerlig dräneringsström på 19A och en dräneringskällspänning på 55V är den lämplig för automatisering och strömhantering i moderna elektroniska system. Dess robusta termiska egenskaper möjliggör drift i utmanande miljöer.
Funktioner & fördelar
• Hög strömkapacitet uppfyller höga belastningskrav
• Maximal effektförlust på 68 W förbättrar hållbarheten
• Enhancement mode-design stöder effektiv växlingsprestanda
• Låg gate-laddning möjliggör snabbare drift
• Effektiva termiska egenskaper säkerställer stabil prestanda vid förhöjda temperaturer
• TO-220AB-paketet erbjuder bekväm integrering i kretsar
Användningsområden
• Lämplig för strömförsörjningskretsar som prioriterar effektivitet
• Perfekt för motorstyrning i automationssystem
• Lämplig för högfrekventa växlingsscenarier
• Används i kraftstyrningssystem för att förbättra prestandan
Vilken är den maximala temperaturen för denna MOSFET?
Den kan arbeta vid en maximal temperatur på +175 °C med bibehållen effektivitet och tillförlitlighet.
Hur hanterar den variationer i gate-source-spänningen?
Den klarar en maximal gate-source-spänning på ±20V, vilket ger flexibilitet vid kretsdesign.
Vilken betydelse har det låga drain-source-motståndet?
Ett maximalt drain-source-motstånd på 100 mΩ ökar energieffektiviteten och minskar värmeproduktionen.
Kan den användas i högfrekventa applikationer?
Ja, den stöder snabb omkoppling tack vare sin låga grindladdning på 35 nC vid 10 V.
P-kanals Power MOSFET 40V till 55V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar P-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade kapslingar och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar inom kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET