Sök efter MPN

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD

Name: Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
Brand: Infineon
SKU: 262-5866
Availability: InStock

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

8 118,00 kr

(exkl. moms)

10 148,00 kr

(inkl. moms)

I lager

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 - 2000	4,059 kr	8 118,00 kr
4000 +	3,957 kr	7 914,00 kr

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	120A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	IPD
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.15mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TO-252
	Serie IPD
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.15mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Infineons N-kanals effekttransistor är optimerad för ett brett spektrum av applikationer och är 100 procent avalanche-testad.

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.