Infineon N Kanal, MOSFET, 139 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

13 688,00 kr

(exkl. moms)

17 110,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +6,844 kr13 688,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-5862
Tillv. art.nr:
IPD028N06NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

139A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.15mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons N-kanals effekttransistor är optimerad för ett brett spektrum av applikationer och är 100 procent avalanche-testad.

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.