Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 120 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-3840
- Tillv. art.nr:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 18%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
122,98 kr
(exkl. moms)
153,73 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 420 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,596 kr | 122,98 kr | - |
| 50 - 120 | 20,16 kr | 100,80 kr | 18% |
| 125 - 245 | 18,928 kr | 94,64 kr | 23% |
| 250 - 495 | 17,472 kr | 87,36 kr | 28% |
| 500 + | 16,218 kr | 81,09 kr | 34% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3840
- Tillv. art.nr:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Kapseltyp | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 71W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Kapseltyp PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 71W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T effekttransistor är en effekt-MOSFET för fordonstillämpningar. Den har en drifttemperatur på 175 °C.
N-kanal – Förbättringsläge
Godkänd enligt AEC Q101 för fordon
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 120 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -80 A -30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101