Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 273-3003
- Tillv. art.nr:
- IPD079N06L3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
13 262,50 kr
(exkl. moms)
16 577,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 5,305 kr | 13 262,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3003
- Tillv. art.nr:
- IPD079N06L3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.731mm | |
| Längd | 10.48mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 6.223mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.731mm | ||
Längd 10.48mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 6.223mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET är ett perfekt val för synkron likriktering i switchade nätaggregat, som de som finns i servrar och stationära datorer och laddare för surfplattor. Dessutom kan dessa enheter användas för ett brett spektrum av industriella tillämpningar
Högsta systemeffektivitet
Färre parallellkoppling krävs
Ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 139 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 131 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 143 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD