Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

13 262,50 kr

(exkl. moms)

16 577,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,305 kr13 262,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3003
Tillv. art.nr:
IPD079N06L3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

50nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

6.731mm

Längd

10.48mm

Höjd

6.223mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons effekt-MOSFET är ett perfekt val för synkron likriktering i switchade nätaggregat, som de som finns i servrar och stationära datorer och laddare för surfplattor. Dessutom kan dessa enheter användas för ett brett spektrum av industriella tillämpningar

Högsta systemeffektivitet

Färre parallellkoppling krävs

Ökad effekttäthet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.