Infineon N Kanal, MOSFET, 131 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 262-5865
- Tillv. art.nr:
- IPD029N04NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
111,44 kr
(exkl. moms)
139,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 995 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,288 kr | 111,44 kr |
| 50 - 120 | 19,802 kr | 99,01 kr |
| 125 - 245 | 18,704 kr | 93,52 kr |
| 250 - 495 | 17,36 kr | 86,80 kr |
| 500 + | 8,916 kr | 44,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-5865
- Tillv. art.nr:
- IPD029N04NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 131A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 131A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons N-kanals effekttransistor är optimerad för ett brett spektrum av applikationer och är 100 procent avalanche-testad.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 131 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 139 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD