Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

275,50 kr

(exkl. moms)

344,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 505,51 kr275,50 kr
100 - 2004,299 kr214,95 kr
250 - 4504,023 kr201,15 kr
500 - 12003,748 kr187,40 kr
1250 +3,472 kr173,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2521
Tillv. art.nr:
IPD60R1K5CEAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

49W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.4nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.41mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

Relaterade länkar