Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 43 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-5480
- Tillv. art.nr:
- IRFP3415PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 400 enheter)*
5 395,60 kr
(exkl. moms)
6 744,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 400 - 400 | 13,489 kr | 5 395,60 kr |
| 800 + | 12,68 kr | 5 072,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-5480
- Tillv. art.nr:
- IRFP3415PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 43A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 43V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 43A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 43V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IR MOSFET-familj av effekt-MOSFET:er utnyttjar beprövade kiselprocesser och erbjuder konstruktörer en bred portfölj av komponenter för olika applikationer som likströmsmotorer, växelriktare, SMPS, belysning, lastbrytare samt batteridrivna applikationer. Enheterna finns i en mängd olika ytmonterade och genomgående höljen med fotavtryck enligt industristandard för att underlätta konstruktionen.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Högströmsklassning
Ökad robusthet
Hög prestanda i lågfrekventa applikationer
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 43 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET