STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 188-8395
- Tillv. art.nr:
- STD11N65M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
85,48 kr
(exkl. moms)
106,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 370 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,096 kr | 85,48 kr |
| 50 - 245 | 15,044 kr | 75,22 kr |
| 250 - 495 | 13,438 kr | 67,19 kr |
| 500 + | 11,54 kr | 57,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8395
- Tillv. art.nr:
- STD11N65M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 680mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 85W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.17mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 680mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 85W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.2mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.17mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Dessa enheter är N-kanaliga effekt-MOSFET-transistorer som utvecklats med MDmesh M2-teknik. Tack vare deras remslayout och förbättrad vertikal struktur uppvisar dessa enheter låg påslagningsresistans och optimerade omkopplingsegenskaper, vilket gör dem lämpliga för de mest krävande högeffektiva omvandlarna.
Extremt låg grindladdning
Utmärkt utgångskapacitetsprofil (COSS)
Zener-skyddad
Användningsområden
Omkopplingstillämpningar
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252