STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 225-0671
- Tillv. art.nr:
- STD9N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
18 930,00 kr
(exkl. moms)
23 662,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 7,572 kr | 18 930,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-0671
- Tillv. art.nr:
- STD9N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 750mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 76W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 750mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 76W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics nya MDmesh M6-teknik innehåller de senaste framstegen till den välkända och konsoliderade MDmesh-familjen av SJ MOSFET: er. STMicroelectronics bygger vidare på den tidigare generationen av MDmesh-enheter genom sin nya M6-teknik, som kombinerar utmärkt RDS(on) per områdeförbättring med ett av de mest effektiva växlingsbeteenden som finns, samt en användarvänlig upplevelse för maximal effektivitet i slutanvändningen.
Minskade omkopplingsförluster
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindingångsresistans
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
584
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD11N60M6
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD5N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH