STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

18 930,00 kr

(exkl. moms)

23 662,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +7,572 kr18 930,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
225-0671
Tillv. art.nr:
STD9N60M6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

750mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Maximal effektförlust Pd

76W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

100% avalanche tested

Zener-protected

584

Relaterade länkar